VT6M1T2CR

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
VT6M1T2CR P1
VT6M1T2CR P1
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Rohm Semiconductor ~ VT6M1T2CR

Número de pieza
VT6M1T2CR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza VT6M1T2CR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V
Potencia - Max 120mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor VMT6

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