VT6M1T2CR

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
VT6M1T2CR P1
VT6M1T2CR P1
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Rohm Semiconductor ~ VT6M1T2CR

Artikelnummer
VT6M1T2CR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer VT6M1T2CR
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V
Leistung max 120mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket VMT6

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