US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
US6M11TR P1
US6M11TR P1
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Rohm Semiconductor ~ US6M11TR

Número de pieza
US6M11TR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza US6M11TR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V, 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.5A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Potencia - Max 1W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor UMT6

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