US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
US6M11TR P1
US6M11TR P1
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Rohm Semiconductor ~ US6M11TR

Artikelnummer
US6M11TR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer US6M11TR
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V, 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.5A, 1.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket UMT6

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