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| Número de pieza | EMD6FHAT2R |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Potencia - Max | 150mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | EMT6 |
