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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | EMD6FHAT2R |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 150mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | EMT6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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EMD62T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | Einzelheiten | |
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EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | PNPNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1120070 | Einzelheiten |
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EMD6T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | Einzelheiten |