FQD5N50CTM-WS

MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
FQD5N50CTM-WS P1
FQD5N50CTM-WS P1
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ON Semiconductor ~ FQD5N50CTM-WS

Número de pieza
FQD5N50CTM-WS
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- FQD5N50CTM-WS PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FQD5N50CTM-WS
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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