FQD5N20LTM

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
FQD5N20LTM P1
FQD5N20LTM P2
FQD5N20LTM P1
FQD5N20LTM P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQD5N20LTM

Número de pieza
FQD5N20LTM
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- FQD5N20LTM PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FQD5N20LTM
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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