PMDPB55XP,115

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
PMDPB55XP,115 P1
PMDPB55XP,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMDPB55XP,115

Número de pieza
PMDPB55XP,115
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza PMDPB55XP,115
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 10V
Potencia - Max 490mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN2020-6

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