PMDPB30XN,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
PMDPB30XN,115 P1
PMDPB30XN,115 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Nexperia USA Inc. ~ PMDPB30XN,115

Número de pieza
PMDPB30XN,115
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PMDPB30XN,115.pdf PMDPB30XN,115 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza PMDPB30XN,115
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Potencia - Max 490mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN2020-6

Productos relacionados

Todos los productos