1517-110M

TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
1517-110M P1
1517-110M P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ 1517-110M

Número de pieza
1517-110M
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- 1517-110M PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza 1517-110M
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 70V
Frecuencia - Transición 1.48GHz ~ 1.65GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 7.3dB ~ 8.6dB
Potencia - Max 350W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 9A
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja 55AW-1
Paquete de dispositivo del proveedor 55AW-1

Productos relacionados

Todos los productos