1517-110M

TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
1517-110M P1
1517-110M P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ 1517-110M

Artikelnummer
1517-110M
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 1517-110M PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer 1517-110M
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 70V
Frequenz - Übergang 1.48GHz ~ 1.65GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 7.3dB ~ 8.6dB
Leistung max 350W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 9A
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall 55AW-1
Lieferantengerätepaket 55AW-1

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