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| Número de pieza | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6020pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC060P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 | - | 0 | Detalles |
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BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 | - | 136415 | Detalles |