Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6020pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC060P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
BSC060P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 | - | 136415 | Einzelheiten |