AOTF10T60P

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
AOTF10T60P P1
AOTF10T60P P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOTF10T60P

Número de pieza
AOTF10T60P
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOTF10T60P.pdf AOTF10T60P PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOTF10T60P
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1595pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3F
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack

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