AOTF10N60

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
AOTF10N60 P1
AOTF10N60 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOTF10N60

Número de pieza
AOTF10N60
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOTF10N60.pdf AOTF10N60 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza AOTF10N60
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3F
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack

Productos relacionados

Todos los productos