AOB10N60L

MOSFET N-CH 600V 10A TO263
AOB10N60L P1
AOB10N60L P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB10N60L

Número de pieza
AOB10N60L
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOB10N60L
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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