AOB10N60L

MOSFET N-CH 600V 10A TO263
AOB10N60L P1
AOB10N60L P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB10N60L

Artikelnummer
AOB10N60L
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AOB10N60L.pdf AOB10N60L PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer AOB10N60L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Verwandte Produkte

Alle Produkte