1SS307(TE85L,F)

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
1SS307(TE85L,F) P1
1SS307(TE85L,F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SS307(TE85L,F)

Artikelnummer
1SS307(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Artikelnummer 1SS307(TE85L,F)
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100mA
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini
Betriebstemperatur - Kreuzung 125°C (Max)

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