IMD6AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD6AT108 P1
IMD6AT108 P2
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Rohm Semiconductor ~ IMD6AT108

Artikelnummer
IMD6AT108
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Artikelnummer IMD6AT108
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket SMT6

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