IMD16AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD16AT108 P1
IMD16AT108 P2
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Rohm Semiconductor ~ IMD16AT108

Artikelnummer
IMD16AT108
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IMD16AT108.pdf IMD16AT108 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer IMD16AT108
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 100k, 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket SMT6

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