IMD10AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD10AT108 P1
IMD10AT108 P2
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Rohm Semiconductor ~ IMD10AT108

Artikelnummer
IMD10AT108
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IMD10AT108.pdf IMD10AT108 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer IMD10AT108
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k, 100
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket SMT6

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