IRF6892STRPBF

MOSFET N CH 25V 28A S3
IRF6892STRPBF P1
IRF6892STRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF6892STRPBF

Artikelnummer
IRF6892STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N CH 25V 28A S3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF6892STRPBF.pdf IRF6892STRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF6892STRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2510pF @ 13V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 28A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ S3C
Paket / Fall DirectFET™ Isometric S3C

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