IRF6811STRPBF

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
IRF6811STRPBF P1
IRF6811STRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF6811STRPBF

Artikelnummer
IRF6811STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF6811STRPBF.pdf IRF6811STRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF6811STRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1590pF @ 13V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ SQ
Paket / Fall DirectFET™ Isometric SQ

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