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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF6810STRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 13V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET S1 |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric S1 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF6802SDTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6802SDTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6810STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 16A S1 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6810STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 16A S1 | 4800 | Einzelheiten | |
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IRF6811STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6811STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6892STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 28A S3 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6892STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 28A S3 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6893MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A MX | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6893MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A MX | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6894MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6894MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten |