IPA60R120C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
IPA60R120C7XKSA1 P1
IPA60R120C7XKSA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IPA60R120C7XKSA1

Artikelnummer
IPA60R120C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPA60R120C7XKSA1.pdf IPA60R120C7XKSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IPA60R120C7XKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 32W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 7.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

Verwandte Produkte

Alle Produkte