FDB14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
FDB14AN06LA0 P1
FDB14AN06LA0 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB14AN06LA0

Artikelnummer
FDB14AN06LA0
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDB14AN06LA0.pdf FDB14AN06LA0 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer FDB14AN06LA0
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.6 mOhm @ 67A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Verwandte Produkte

Alle Produkte