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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDB12N50FTM-WS |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 165W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FDB120N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET NCH 100V 74A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |
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FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 43993 | Einzelheiten |
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FDB12N50FTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FDB12N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |
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FDB12N50UTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |