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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDB110N15A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 92A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4510pF @ 75V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 234W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 92A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB | 0 | Einzelheiten | |
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FDB110N15A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK | - | 70400 | Einzelheiten |
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FDB120N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET NCH 100V 74A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |
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FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 43993 | Einzelheiten |
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FDB12N50FTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FDB12N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |
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FDB12N50UTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FDB13AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB | - | 800 | Einzelheiten |
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FDB14AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB | 0 | Einzelheiten | |
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FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | - | 58039 | Einzelheiten |
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FDB14AN06LA0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | - | 800 | Einzelheiten |
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FDB14N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK | - | 1600 | Einzelheiten |