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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | C3M0065100K |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
Vgs (Max) | +19V, -8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 113.5W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | - |
Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
Paket / Fall | TO-247-4 |