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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | AOB11S65L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 198W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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AOB10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH TO-263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB11C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 | - | 0 | Einzelheiten |
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AOB11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB12N50L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO263 | 0 | Einzelheiten | |
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AOB12N60FDL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | 0 | Einzelheiten |