Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIR696DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 125V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 60A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 75V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 104W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Durum | PowerPAK® SO-8 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIR690DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8 | - | 80309 | ayrıntılar |
 |
SIR692DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 125V 60A SO8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |