| номер части | SIR696DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 125V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1410pF @ 75V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 104W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SO-8 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8 | - | 0 | подробности |
 |
SIR690DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8 | - | 80309 | подробности |
 |
SIR692DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8 | - | 0 | подробности |
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 125V 60A SO8 | - | 0 | подробности |
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
