SSM6N36FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
SSM6N36FE,LM P1
SSM6N36FE,LM P2
SSM6N36FE,LM P3
SSM6N36FE,LM P1
SSM6N36FE,LM P2
SSM6N36FE,LM P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6N36FE,LM

номер части
SSM6N36FE,LM
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SSM6N36FE,LM PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM6N36FE,LM
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Функция FET Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 500mA
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.23nC @ 4V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 46pF @ 10V
Мощность - макс. 150mW
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика ES6 (1.6x1.6)

сопутствующие товары

Все продукты