SSM6J206FE(TE85L,F

MOSFET P-CH 20V 2A ES6
SSM6J206FE(TE85L,F P1
SSM6J206FE(TE85L,F P2
SSM6J206FE(TE85L,F P3
SSM6J206FE(TE85L,F P1
SSM6J206FE(TE85L,F P2
SSM6J206FE(TE85L,F P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J206FE(TE85L,F

номер части
SSM6J206FE(TE85L,F
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
SSM6J206FE(TE85L,F.pdf SSM6J206FE(TE85L,F PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM6J206FE(TE85L,F
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 335pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 1A, 4V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика ES6 (1.6x1.6)
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666

сопутствующие товары

Все продукты