SSM6J216FE,LF

MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
SSM6J216FE,LF P1
SSM6J216FE,LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J216FE,LF

номер части
SSM6J216FE,LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SSM6J216FE,LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SSM6J216FE,LF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12.7nC @ 4.5V
Vgs (Макс.) ±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1040pF @ 12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
Рабочая Температура 150°C
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика ES6
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666

сопутствующие товары

Все продукты