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| Numero di parte | E3M0120090D |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | +18V, -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 97W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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E3M0065090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M | - | 5452 | Dettagli |
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E3M0120090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC | - | 8665 | Dettagli |
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E3M0280090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC | - | 15718 | Dettagli |