E3M0065090D

E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M
E3M0065090D P1
E3M0065090D P1
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Cree/Wolfspeed ~ E3M0065090D

Numero di parte
E3M0065090D
fabbricante
Cree/Wolfspeed
Descrizione
E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- E3M0065090D PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte E3M0065090D
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.4nC @ 15V
Vgs (massimo) +18V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 600V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Pacchetto / caso TO-247-3

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