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| 부품 번호 | E3M0120090D |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +18V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 350pF @ 600V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 97W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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E3M0065090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M | - | 5452 | 세부 |
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E3M0120090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC | - | 8665 | 세부 |
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E3M0280090D | Cree/Wolfspeed | E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC | - | 15718 | 세부 |