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| Numero di parte | GT10J312(Q) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 60W |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 400ns/400ns |
| Condizione di test | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SM |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GT10-16DP-HU | Hirose Electric Co Ltd | CONN HSG | - | 100 | Dettagli |
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GT10-16DP-R | Hirose Electric Co Ltd | CONN RTNR | - | 100 | Dettagli |
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GT10-16DS-HU | Hirose Electric Co Ltd | CONN HSG | - | 100 | Dettagli |
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GT102B1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 1K OHM 10% BEAD | - | 0 | Dettagli |
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GT103E1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 10K OHM 10% BEAD | - | 0 | Dettagli |
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GT103J1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 10K OHM 10% BEAD | - | 0 | Dettagli |
 |
GT104L1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 100K OHM 10% BEAD | - | 0 | Dettagli |
 |
GT105U1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 1M OHM 10% BEAD | - | 0 | Dettagli |
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GT10B-20/10DS-CV | Hirose Electric Co Ltd | CONN INLINE SOCKET HOUSING | - | 2873 | Dettagli |
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GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 400V 1W 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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GT10J312(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 600V 10A 60W TO220SM | 0 | Dettagli |