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| Numero di parte | GT10G131(TE12L,Q) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4V, 200A |
| Potenza - Max | 1W |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 3.1µs/2µs |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 400V 1W 8-SOIC | 0 | Dettagli |