FQPF17N08

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
FQPF17N08 P1
FQPF17N08 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQPF17N08

Numero di parte
FQPF17N08
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FQPF17N08
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 5.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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