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| Numero di parte | FQP11P06 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 5.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQP10N20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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FQP10N20C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | - | 1100 | Dettagli |
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FQP10N20CTSTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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FQP10N60C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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FQP11N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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FQP11N40C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220 | - | 734 | Dettagli |
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FQP11N50CF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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FQP11P06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220 | - | 1172 | Dettagli |
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FQP12N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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FQP12N60C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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FQP12P10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 | - | 775 | Dettagli |
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FQP12P20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 | - | 931 | Dettagli |