FQPF17N08

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
FQPF17N08 P1
FQPF17N08 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQPF17N08

Numéro d'article
FQPF17N08
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FQPF17N08
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11.2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 5.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220F
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack

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