SI8902EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
SI8902EDB-T2-E1 P1
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Vishay Siliconix ~ SI8902EDB-T2-E1

Numéro d'article
SI8902EDB-T2-E1
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SI8902EDB-T2-E1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SI8902EDB-T2-E1
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 980µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-MICRO FOOT®CSP
Package de périphérique fournisseur 6-Micro Foot™

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