SI8902EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
SI8902EDB-T2-E1 P1
SI8902EDB-T2-E1 P1
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Vishay Siliconix ~ SI8902EDB-T2-E1

品番
SI8902EDB-T2-E1
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 SI8902EDB-T2-E1
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.9A
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 980µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-MICRO FOOT®CSP
サプライヤデバイスパッケージ 6-Micro Foot™

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