1SV279,H3F

PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
1SV279,H3F P1
1SV279,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SV279,H3F

Numéro d'article
1SV279,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 1SV279,H3F PDF online browsing
Famille
Diodes - Capacité variable (diodes varicap)
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Numéro d'article 1SV279,H3F
État de la pièce Active
Capacitance @ Vr, F 6.5pF @ 10V, 1MHz
Ratio de capacité 2.5
Condition de rapport de capacité C2/C10
Tension - Peak Reverse (Max) 15V
Type de diode Single
Q @ Vr, F -
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-79, SOD-523
Package de périphérique fournisseur ESC

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