1SV279,H3F

PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
1SV279,H3F P1
1SV279,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SV279,H3F

Número de pieza
1SV279,H3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- 1SV279,H3F PDF online browsing
Familia
Diodo - Capacitancia variable (Varicaps, Varactors)
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Número de pieza 1SV279,H3F
Estado de la pieza Active
Capacitancia @ Vr, F 6.5pF @ 10V, 1MHz
Ratio de capacitancia 2.5
Condición de relación de capacitancia C2/C10
Voltaje - Pico Inverso (Máx) 15V
Tipo de diodo Single
Q @ Vr, F -
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-79, SOD-523
Paquete de dispositivo del proveedor ESC

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