1SS307E,L3F

DIODE SW GP 80V 100MA ESC
1SS307E,L3F P1
1SS307E,L3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SS307E,L3F

Numéro d'article
1SS307E,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
DIODE SW GP 80V 100MA ESC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1SS307E,L3F
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Courant - Rectifié moyen (Io) 100mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.3V @ 100mA
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-79, SOD-523
Package de périphérique fournisseur SC-79
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

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