1SS307E,L3F

DIODE SW GP 80V 100MA ESC
1SS307E,L3F P1
1SS307E,L3F P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SS307E,L3F

Artikelnummer
1SS307E,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
DIODE SW GP 80V 100MA ESC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1SS307E,L3F.pdf 1SS307E,L3F PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer 1SS307E,L3F
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100mA
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-79, SOD-523
Lieferantengerätepaket SC-79
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)

Verwandte Produkte

Alle Produkte